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마이크로컨트롤러 프로젝트를 위한 로직 레벨 MOSFET 3종 비교 (IRLZ44N vs LR7843 vs SI2302)

아두이노나 ESP32 같은 마이크로컨트롤러(MCU)의 GPIO 출력만으로는 모터, 릴레이, 고전력 LED 같은 부하를 직접 제어하기 어려워 MOSFET 스위칭 회로가 필수적입니다. 동작 전압(3.3V/5V), 부하 전류, 패키지 형태에 따라 가장 널리 쓰이는 N-채널 로직 레벨 MOSFET 3종의 핵심 제원과 활용 팁을 정리했습니다.

주요 항목IRLZ44NLR7843SI2302 (A2SHB)
패키지 형태TO-220 (Thru-hole)SO-8 / 모듈 타입SOT-23 (초소형 SMD)
드레인-소스 전압 (Vds)55V30V20V
연속 드레인 전류 (Id)47A최대 161A (실사용 20~30A)2.8A ~ 3A
도통 저항 (Rds(on))~22mΩ (@ Vgs 5V)~3.3mΩ (@ Vgs 4.5V)~55mΩ (@ Vgs 2.5V)
게이트 문턱 전압 (Vgs(th))1.0V ~ 2.0V1.4V ~ 2.3V0.65V ~ 1.2V
권장 구동 로직 전압5V (3.3V 구동 시 발열 주의)3.3V / 5V 모두 우수2.5V / 3.3V / 5V
주요 용도브레드보드 시제품, 고전압 DC 모터PWM 고전력 부하, ESP32 스위칭소형 PCB, 소형 팬/릴레이 제어

1. IRLZ44N: 브레드보드 작업과 고전압 부하의 표준

일반적인 IRF540N이나 IRFZ44N과 달리, 품명 중간의 ‘L’이 의미하듯 로직 레벨(Logic-Level) 전용으로 설계된 스루홀(Thru-hole) MOSFET입니다.

  • 장점: TO-220 패키지로 브레드보드나 만능기판 작업이 편리하며, 방열판을 쉽게 장착할 수 있습니다. 최대 내압이 55V로 24V/36V DC 모터나 솔레노이드 제어 시 마진이 넉넉합니다.
  • 주의점: 5V 로직(아두이노 UNO 등)에서는 게이트가 충분히 열려 낮은 저항을 유지하지만, 3.3V 로직(ESP32, RP2040)으로 직접 구동 시 부하 전류가 커지면 Rds(on) 상승으로 인해 발열이 발생할 수 있습니다.

2. LR7843: 3.3V MCU와 PWM 제어에 최적화된 고효율 모듈

3.3V 마이크로컨트롤러 환경에서 고전류 스위칭을 구현할 때 가장 많이 추천되는 소자입니다. (알리익스프레스나 DIY 부품몰의 ‘LR7843 MOS 모듈’로 널리 알려져 있습니다.)

  • 장점: 3.3V 게이트 전압(Vgs) 환경에서도 도통 저항(Rds(on))이 약 3.3mΩ 수준으로 극히 낮습니다. 게이트 전하량(Qg)이 적어 3.3V MCU에서 PWM 고속 스위칭(모터 속도 제어, LED 밝기 제어)을 수행할 때 스위칭 손실과 발열이 거의 없습니다.
  • 주의점: 드레인-소스 내압이 30V이므로 12V~24V 시스템 제어에 적합하며, 30V를 초과하는 고전압 회로에는 사용할 수 없습니다.

3. SI2302 (A2SHB): 초소형 PCB 커스텀 제작을 위한 필수품

실크스크린에 A2SHB 마킹으로 표기되는 SOT-23 표면실장(SMD) 타입의 소형 N-채널 MOSFET입니다.

  • 장점: 손가락 손톱보다 훨씬 작은 크기로 커스텀 PCB 제작 시 공간을 극적으로 아껴줍니다. 게이트 문턱 전압(Vgs(th))이 0.65V~1.2V로 매우 낮아 2.5V 이하의 저전압 로직에서도 완전히 열립니다.
  • 주의점: 허용 전류가 약 3A 내외이므로 소형 쿨링팬, 5V/12V 소형 릴레이, 센서 전원 온/오프 스위칭 등 소전력 부하 제어용입니다. 대형 모터나 히터 제어에는 부적합합니다.

상황별 선택 가이드

  • 브레드보드 시제품 및 24V 이상 고전압 DC 모터 제어 → IRLZ44N
  • ESP32 / RP2040 (3.3V 로직) 기반 12V/24V 고전류 PWM 제어 → LR7843
  • 초소형 자작 PCB 제작 및 소형 팬/릴레이/센서 스위칭 → SI2302

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